1、RAM：隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，能夠快速方便的訪問地址中的內(nèi)容，訪問的速度與存儲(chǔ)位置無關(guān)。

2、ROM：只讀存儲(chǔ)器，一種只能讀取數(shù)據(jù)不能寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。

3、SRAM：靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，采用雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)信息。

4、DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，利用電容電荷存儲(chǔ)信息。

5、EDODRAM：增強(qiáng)數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)，采用快速頁面訪問模式并增加了一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器以提高數(shù)據(jù)傳輸速率。

6、PROM：可編程的ROM，可以被用戶編程一次。

7、EPROM：可擦寫可編程的ROM，可以被用戶編程多次。靠紫外線激發(fā)浮置柵上的電荷以達(dá)到擦除的目的。

8、EEPROM：電可擦寫可編程的ROM，能夠用電子的方法擦除其中的內(nèi)容。

9、SDRAM：同步型動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，在系統(tǒng)時(shí)鐘控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫。

10、快閃存儲(chǔ)器：一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，與EEPROM類似，能夠用電子的方法擦除其中的內(nèi)容。

11、相聯(lián)存儲(chǔ)器：一種按內(nèi)容訪問的存儲(chǔ)器，每個(gè)存儲(chǔ)單元有匹配電路，可用于是cache中查找數(shù)據(jù)。

12、多體交叉存儲(chǔ)器：由多個(gè)相互獨(dú)立、容量相同的存儲(chǔ)體構(gòu)成的存儲(chǔ)器，每個(gè)存儲(chǔ)體獨(dú)立工作，讀寫操作重疊進(jìn)行。

13、訪存局部性：CPU的一種存特性，對(duì)存儲(chǔ)空間的90%的訪問局限于存儲(chǔ)空間的10%的區(qū)域中，而另外10%的訪問則分布在90%的區(qū)域中。

14、直接映象：cache的一種地址映象方式，一個(gè)主存塊只能映象到cache中的唯一一個(gè)指定塊。

15、全相聯(lián)映象：cache的一種地址映象方式，一個(gè)主存塊可映象到任何cache塊。

16、組相聯(lián)映象：cache的一種地址映象方式，將存儲(chǔ)空間分成若干組，各組之間用直接映象，組內(nèi)各塊之間用全相聯(lián)映象。

17、全寫法（寫直達(dá)法）：cache命中時(shí)的一種更新策略，寫操作時(shí)將數(shù)據(jù)既寫入cache又寫入主存，但塊更時(shí)不需要將調(diào)出的塊寫回主存。

18、寫回法：cache命中時(shí)的一種更新策略，寫cache時(shí)不寫主存，而當(dāng)cache數(shù)據(jù)被替換出去時(shí)才寫回主存。

19、按寫分配：cache不命中時(shí)的一種更新策略，寫操作時(shí)把對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)塊從主存調(diào)入cache.

20、不按寫分配：cache不命中時(shí)的一種更新策略，寫操作時(shí)該地址的數(shù)據(jù)塊不從主存調(diào)入cache.

一般寫回法采用按寫分配法，寫直達(dá)法則采用不按寫分配法。