第三章 存儲(chǔ)器及其接口

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類(lèi)：

1. 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，RAM

(1) 靜態(tài)RAM，SRAM (HM6116，2K * 8)

(2) 動(dòng)態(tài)RAM，DRAM，需要刷新電路 (2164，64K * 1)

2. 只讀存儲(chǔ)器，ROM

(1) PROM，可編程ROM，一次性寫(xiě)入ROM

(2) EPROM，可擦除可編程ROM (INTEL2732A，4K * 8)

(3) EEPROM，電可擦除可編程ROM

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)：

1. 存儲(chǔ)容量

2. 存取速度 (用兩個(gè)時(shí)間參數(shù)表示：存取時(shí)間，存取周期)

3. 可靠性

4. 性能/價(jià)格比

內(nèi)存條及其特點(diǎn)：

內(nèi)存條是一個(gè)以小型板卡形式出現(xiàn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，它的特點(diǎn)是：安裝容易，便于用戶(hù)進(jìn)行更換，也便于擴(kuò)充內(nèi)存容量

HM6116、2164、INTEL2732A的外特性 (教科書(shū) P50 ~ P53)

INTEL2732A的6種工作方式：

1. 讀

2. 輸出禁止

3. 待用

4. 編程

5. 編程禁止

6. INTEL標(biāo)識(shí)符

實(shí)現(xiàn)片選控制的三種方法：

1. 全譯碼

2. 部分譯碼 (可能會(huì)產(chǎn)生地址重疊)

3. 線選法

地址重疊——多個(gè)地址指向同一存儲(chǔ)單元

存儲(chǔ)器芯片同CPU連接時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題：

1. CPU總線的負(fù)載能力問(wèn)題

2. CPU的時(shí)序同存儲(chǔ)器芯片的存取速度的配合問(wèn)題

16位微機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存儲(chǔ)器芯片的奇偶分體：

1. 1M字節(jié)分成兩個(gè)512K字節(jié) (偶存儲(chǔ)體，奇存儲(chǔ)體)

2. 偶存儲(chǔ)體同低8位數(shù)據(jù)總線(D7 ~ D0)相連接，奇存儲(chǔ)體同高8位數(shù)據(jù)總線(D15 ~ D8)相連接

3. CPU的地址總線A19 ~ A1同兩個(gè)存儲(chǔ)體中的地址線A18 ~ A0相連接，CPU地址總線的最低位A0和BHE(低電平)用來(lái)選擇存儲(chǔ)體

4. 要訪問(wèn)的16位字的低8位字節(jié)存放在偶存儲(chǔ)體中，稱(chēng)為對(duì)準(zhǔn)字，訪存只需要一個(gè)總線周期;要訪問(wèn)的16位字的低8位字節(jié)存放在奇存儲(chǔ)體中，稱(chēng)為未對(duì)準(zhǔn)字，訪存需要兩個(gè)總線周期

5. 8088CPU數(shù)據(jù)總線是8位，若進(jìn)行字操作，則需要兩個(gè)總線周期，第一個(gè)周期訪問(wèn)低位，第二個(gè)周期訪問(wèn)高位

存儲(chǔ)器的字位擴(kuò)展，考試必考 (教科書(shū) P71 習(xí)題2、習(xí)題6)

74LS138的綜合應(yīng)用必須熟練掌握，考試必考： (教科書(shū) P55 ~ P58; P71 ~ P72 習(xí)題7、習(xí)題8; P231 第五2題)

1. 存儲(chǔ)器芯片的地址范圍

2. 地址線的連接 (片內(nèi)地址，片外地址)

3. 數(shù)據(jù)線的連接

4. 控制線的連接 (片選信號(hào)CE，寫(xiě)信號(hào)WE，輸出信號(hào)OE等，以上信號(hào)都為低電平)